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晶体硅太阳能电池PECVD SiNx

晶体硅太阳能电池PECVD SiNx

从图1可以发现，随着沉积温度升高，SiNx：H膜的厚度变大，超过430℃后，膜的厚度有所下降。在410～440℃范围内，折射率没有明显变化规律。从图2可以发现，随着SiH4。流量的增加，膜的折射率和厚度呈现明显上升趋势，

说明SiH4流量的增加可以有效提升膜的沉积速率。SiNx：H的折射率n直接决定

其对太阳光的吸收程度，所以工艺过程中SiH4。流量的控制很重要。

2、工艺气体流量和射频功率对主要电性能参数的影响

本试验选择在Centrotherm PECVD设备上进行，研究射频功率、工艺气体流量对多晶硅电池开路电压Uoc，短路电流Isc以及光电转换效率Ncell的影响。

（1）工艺气体流量比对主要电性能参数的影响

本试验在保持NH3流量不变时，改变工艺气体流量比，在设备容许范围内根据实际情况改变SiH4。流量，同时其他工艺参数保持不变。对象为多晶硅太阳能

电池。结果如图3、图4所示。-

从图3、图4可以看出，随着SiH4流量的减少，光电转换效率先增加、然后

减小。在NH3／SiH4。为11时，Uoc、Isc和Ncell达到了最大值，说明在2种工

艺气体比例为11时所镀出的SiNx：H膜与前后道工艺匹配最好，可以达到最佳钝化减反射效果。

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