当前位置： 文档下载 > 所有分类 > 工程科技 > 能源/化工 > 晶体硅太阳能电池PECVD SiNx晶体硅太阳能电池PECVD SiNx：H薄膜工艺研究
PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition)即等离子体增强化学气相沉积是晶体硅太阳能电池制造过程中的一个重要环节，其作用是在晶体硅电池表面镀一层具有减反射效果同时又具有对电池体、表面进行钝化作用的薄膜。目前应用在工业化生产上的PECVD类型有直接沉积型(Direct Plasma)PECVD和间接沉积型(IndirectPlasma)PECVDEs]，其所使用设备的典型代表，前者如德国的Centrotherm，后者如德国的Roth&Rau。Direct Plasma PECVD凭借其出色的减反钝化效果受到多晶硅生产厂家更多的青睐，而Indirect Plas-ma PECVD凭借其优越的产能在目前晶体硅太阳能电池行业中也占有一席之位。
一、PECVD沉积SiNx：H膜原理
PECVD原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的电极上，通人适量的高纯度反应气体SiH4。和NH3。利用辉光放电气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态SiNx：H薄膜。PECVD过程中Sill；和NH。反应生成SiNx：H是1个非常复杂的化学反应过程，其主要过程如下：
二、试验与结果分析
1、 工艺温度和工艺气体流量对SiNx：H膜厚度和折射率的影响
本试验选择在Roth&Rau PECVD设备上进行，研究不同工艺温度和工艺气体流量对SiNx：H膜厚度d、折射率n的影响规律。在其他工艺参数保持不变的情况下，分别改变温度和SiH4。流量，温度和SiH4。流量的变化范围在设备要求范
围内。结果如图1、图2所示。
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