泉州五中高三年语文试卷

泉州五中高三年语文试卷

泉州五中高三年语文试卷

第Ⅰ卷

一、（12分，每小题3分）

阅读下文，完成1～4题。

美国科学家称：纳米存储装置可为计算机提供巨大存储空间

碳纳米管的直径非常小，只相当于分子量级。如果每个纳米颗粒都存储一比特（bit)的计算机数据，那么碳纳米管的存储容量将十分巨大。科学家们也在不断试验，争取早日制造出由纳米技术生产的计算机记忆存储工具。

美国德克萨斯州农工大学和伦塞勒工学院的科学家们设计出一种纳米技术闪存记忆模型。这种记忆装置每平方厘米可以存储40G数据,每立方厘米可以存储1,000兆兆数据。

一兆兆是1,000G比特，或者说是26张高密度DVD的容量。

其中每一个存储单位都由一对互相交叉的碳纳米管组成，碳纳米管中填满铁或其它磁性物质。碳纳米管是由碳原子组成的薄片卷曲而成。碳原子具有良好的电子特性，且碳纳米管的直径不到一纳米。 研究人员通过磁化物质控制电流的方法存储数据，这种方法与普通的硬盘存储读取模式相同。 德克萨斯州农工大学一位电气工程学副教授说道，由纳米管交叉组成的阵列中，每一个交叉点都可以存储一个比特的数据0或1。假如人们将与目前常用微处理器所使用的半导体管数目相同的碳纳米管交叉起来，那么它的存储容量将为一百万G字节。

通常来说，中间层为无磁性介质，两边包裹着磁性物质的存储单元所能通过电流量取决于磁性物质的磁力线方向。每一个电子运动都会产生磁场。当电子穿过与其产生的磁力线平行的磁性介质时，电子就可以顺利通过。而当相反情况发生时，所有电子都会被阻挡。

每两个碳纳米管呈直角相交。需要向纳米管写入数据时，读写装置会向纳米管相交的结点发出正向或负向的电流脉冲，以改变结点的磁场方向。读取数据时，读写装置则会发出一个较微弱的电流脉冲，这个脉冲或者总是正向，或总是负向。假如所在结点的磁场方向与读写装置发出的微弱电流脉冲相反，那么此电流脉冲就会突然减弱。所通过电流的强度就代表着计算机中的二进制存储单位0或1。 因为碳纳米管非常小，由碳纳米管制成的存储设备将具有巨大的存储容量和极高的存储速度。或许最高存取速度可以达到每秒钟1,000G字节。由纳米工艺制成的存储设备耗电量也会非常低。

伦塞勒工学院材料学工程师Pulickel Ajayan说道，用这种纳米管交叉方法制成的存储设备比其它方法制成的存储设备使用起来更加持久和稳定，因为其它方法都需要对碳纳米管进行复杂的操作，例如使纳米管弯曲。

研究人员下一步工作是要研究这种记忆体在各种条件下的性能差异，以找出能够发挥其最佳性能的制造方法。然后他们将努力把单个的纳米管存储单元集成起来排列成三维结构，并用它们制成计算机存储设备。

预计科学家能够在五年内完成此项研究。

碳纳米管存储设备将具有巨大的市场潜力，但是科学家必须把理论转化为实际，而这个过程通常需要很长时间才能完成。

诺贝尔奖获得者Jack Kilby曾经在理论上证实可以把半导体管集成在一起制成计算机芯片，而研究人员通过这个理论制造出第一个计算机芯片用了十五年的时间。研究人员目前的研究成果就如同当年人们第一次想象出半导体管一样，这只是纳米存储技术发展的第一步。（转载自：中国科技信息网）

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