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实验3 磁阻效应

实验3 磁阻效应

一、实验目的

1、了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法。 2、测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系。 3、学习用磁阻传感器测量磁场的方法。 二、实验仪器

DH4510磁阻效应综合实验仪 三、实验要求

1、在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条件下,测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系。作ΔR/R(0)与B的关系曲线,并进行曲线拟合。

2、用磁阻传感器测量一个未知的磁场强度,与毫特计测得的磁场强度相比较,估算测量误差。 四、实验原理

如图1所示,当导电体处于磁场中时(电流方向与磁场方向垂直),导电体内的载流子将在洛仑兹力的作用发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场。如果霍尔电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,则小于此速度的电子将沿霍尔电场作用的方向偏转,而大于此速度的电子则沿相反方向偏转,因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少,即沿电场方向的电流密度减小,电阻增大,也就是由于磁场的存在,增加了电阻,此现象称为磁阻效应。如果将图1中UH短路,磁阻效应更明显。

通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小,即用Δρ/ρ(0)表示。其中ρ(0)为零磁场时的电阻率, ρ(B)为在磁场强度为B时的电阻率,则Δρ=ρ(B) -ρ(0) 。由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0) 正比于Δρ/ρ(0) ,这里ΔR=R(B)-R(0) , R(0) 、R(B)分别为磁场强度为0和B下磁阻传感器的电阻阻值。因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小。

测量磁电阻电阻值R与磁感应强度B的关系实验装置及线路如图2所示。

实验3 磁阻效应

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