聚晶湿法刻蚀机理论培训资料

Suzhou J.k Technology Co., Ltd CONTRACT

湿法刻蚀清洗机工艺原理培训

在光伏晶硅电池工艺中，湿法刻蚀水上漂四周刻蚀绝缘法，只有RENA、库特勒、聚晶科技采用这种工艺；但是工艺中间还有细节区别；

1、RENA水上漂刻蚀：RENA主要采用支点式滚轮，支点是细的氟橡胶圈；水平液面与硅片支点有1.5毫米高度差，酸液与硅片的接触主要是通过毛细与液体张力的作用，理论上裸硅片憎水性，液体与硅片下表面接触，液体不会爬到硅片正表面，即使进行氧化与络合反应，但是扩散后的片子由于有磷硅玻璃的存在，磷硅玻璃是亲水性的，所以液体会爬到正表面，RENA公司主要是通过硫酸H2SO4脱水性（吸水性）来控制，硫酸浓度过高或过低脱水性都不是最佳值，通过合理的腐蚀量与最佳的脱水性浓度配合，保证了扩散后的硅片背结及边缘寄生PN结完全去除，又不会破坏正面的PN结；

2、库特勒水上漂刻蚀：主要采用支点式滚轮，支点是细的氟橡胶圈；水平液面与硅片支点有1.5毫米高度差，酸液与硅片的接触主要是通过毛细与液体张力的作用，理论上裸硅片憎水性，液体与硅片下表面接触，液体不会爬到硅片正表面，即使进行氧化与络合反应，但是扩散后的片子由于有磷硅玻璃的存在，磷硅玻璃是亲水性的，所以液体会爬到正表面，库特勒公司采用的是水上漂之前，先把上下表面的磷硅玻璃同时去掉，保持硅片的憎水性，保证液体不会爬到正面对正面的PN结产生破坏，但是，他的缺点就是正表面会被酸气腐蚀，碱槽中碱液腐蚀，会对正面产生轻微腐蚀，产生方块电阻升高，改变表面杂质分布，对工艺控制提出了很高的要求；

3、聚晶科技水上漂：主要采用支点式滚轮，支点是细的氟橡胶圈；水平液面与硅片支点有1.5毫米高度差，酸液与硅片的接触主要是通过毛细与液体张力的作用，理论上裸硅片憎水性，液体与硅片下表面接触，液体不会爬到硅片正表面，即使进行氧化与络合反应，但是扩散后的片子由于有磷硅玻璃的存在，磷硅玻璃是亲水性的，所以液体会爬到正表面，聚晶科技采用是单面去除磷硅玻璃，下表面及周边呈现出憎水性，上表面由于有PSG，属于亲水性，在加上水膜保护，做到基本实现水上漂刻蚀边缘及下表面PN结，又保护了上表面PN结的完整性，也不会产生刻蚀线，放大了工艺窗口，增大了工艺的稳定性与可控性；

第1页下一页